Qualcomm ได้ประกาศเปิดตัวชิปประมวลผลรุ่นใหม่ที่จะเห็นกันในปีหน้า ใช้ชื่อผิดจากที่คาดเล็กน้อย เนื่องจากจะมีรหัสว่า Snapdragon 835 ตัวชิปใช้กระบวนการผลิต 10 นาโนเมตรโดย Samsung ยกชูจุดเด่น Quick Charge 4 ที่ดีกว่าเดิม
ในการเปิดตัว Snapdragon 835 นั้นทาง Qualcomm ไม่ได้ให้รายละเอียดว่าชิปจะมีประสิทธิภาพอย่างไร ดีขึ้นกว่าเดิมแค่ไหน (แน่นอนว่าดีขึ้นเนื่องจากเปลี่ยนกระบวนการผลิตจาก 14 นาโนเมตร เป็น 10 นาโนเมตร) จะมีหน่วยประมวลผลกี่คอร์ หรือจะใช้สถาปัตยกรรมอะไร ระบุเพียงว่าชิปจะเปิดตัวในครึ่งแรกของปี 2017 นี้
Quick Charge 4 ถือเป็นฟีเจอร์ที่ค่อนข้างอยู๋ยากในยุคของ USB Type C เนื่องจากหน่วยงาน USB-IF ได้กำหนดการจ่ายไฟของพอร์ต USB Type C ผ่าน USB Power Delivery เอาไว้แล้ว ทำให้ Quick Charge 4 ไม่ใช่การเปลี่ยนแรงดันไฟด้วยเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อเพิ่มกำลังไฟที่เข้าสู่แบตเตอรีอีกต่อไป แต่เป็นการเปลี่ยนค่าตามมาตรฐานที่มีอยู่แต่เดิม
ถ้าทำงานตามเทคโนโลยีมาตรฐานแล้ว Quick Charge 4 จะดีขึ้นได้ยังไง? แน่นอนว่าตรงนี้เป็นการบ้านที่ Qualcomm ต้องไปทำหนักเสียหน่อย โดยทาง Qualcomm โฆษณาว่าระบบการจัดการไฟ ชิป และวงจรของตัวเองนั้นสามารถชาร์จไฟได้ดีกว่า USB PD (USB Power Delivery) แบบเดิมๆ ที่ใช้กันตามมาตรฐาน
ทาง Qualcomm ระบุว่าไฟที่จ่ายจะยังคงมีกำลังสูงสุดเท่ากับที่จ่ายใน Quick Charge 3.0 คือสูงสุดที่ 18W แต่จะชาร์จไฟไวขึ้น 20% เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงกระบวนการจ่ายไฟในพอร์ต USB Type C และวงจรของตัวเองที่ปรับเปลี่ยนกำลังไฟที่เข้าแบตเตอรีตามความร้อน ทำให้เกิดความร้อนน้อยลงและไฟเข้ามากขึ้น
Qualcomm น่าจะเชื่อว่าเทคโนโลยี USB Power Delivery นั้นไม่ได้ถูกสร้างมาอย่างเท่าเทียมแน่นอน โดยมีความแตกต่างทางด้านฮาร์ดแวร์อื่นๆ ที่ไม่ได้กำหนดไว้ในมาตรฐาน และคงจะเป็นจุดขายของ Qualcomm ในอนาคตต่อไปว่าผู้ผลิตมือถือทำไมควรจะใช้ Quick Charge 4 มากกว่า USB PD ในมือถือรุ่นถัดไป (เนื่องจากต้องใส่ชิปควบคุมไฟพิเศษลงไป ถึงจะใช้ Quick Charge 4 ได้)
เชื่อว่าหลังจากนี้ Qualcomm จะค่อยๆ ปล่อยข้อมูลอัพเดทของ Qualcomm Snapragon 835 มาเรื่อยๆ เหมือนกับที่ปีที่แล้วค่อยๆ ปล่อยข้อมูลของ Snapdragon 820 ไปทีละนิดจนถึงกำหนดเปิดตัวในมือถือนั่นล่ะครับ
ที่มา – Android Police
