Samsung เตรียมเพิ่มระดับการผลิตชิพหน่วยความจำตัวใหม่ ซึ่งเป็นรุ่นที่สองที่มีขนาด 10 นาโนมเตร และจะเป็นชิพหน่วยความจำที่ได้ใช้ในอนาคตบนรูปแบบ DDR4 อีกด้วย
โดยชิพหน่วยความจำแบบใหม่นี้ซัมซุงได้เคลมไว้ว่า ชิพหน่วยความจำรุ่นที่สองขนาด 10 นาโนเมตรจะมีประสิทธิภาพมากขึ้น 10% และประหยัดพลังงานมากขึ้น 15% เมื่อเทียบกับรุ่นแรก
โดยตอนนี้ชิพหน่วยความจำหนึ่งตัวจะมีความจุ 8Gb(Gibabit) หรือ 1GB(Gibabyte) สามารถทำงานได้ความเร็วถึง 3,600 Mb/s โดยเร็วกว่ารุ่นแรกถึง 12.5%
และการที่ซัมซุงสามารถผลิตชิพหน่วยความจำได้เร็วขึ้น นั่นหมายความว่าโรงงานผลิตพร้อมที่จะผลิต และจะได้เห็นสมาร์ทโฟน พีซี หรือแล็ปท็อปที่ใช้แรม DDR4 ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าในปัจจุบันอย่างแน่นอน
อ้างอิง Samsung News GSMArena
>
