Samsung ถือเป็นผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ของโลกประกาศเดินหน้าผลิตหน่วยความจำ LPDDR4X รุ่นที่สอง ลดขนาดกระบวนการผลิตลงเหลือ 10 นาโนเมตร
จากการลดขนาดกระบวนการผลิตลงเหลือ 10 นาโนเมตรทำให้หน่วยความจำดังกล่าวใช้พลังงานนน้อยลงราวๆ 10% แต่ยังคงประสิทธิภาพการทำงานไว้ได้เท่าเดิม คือส่งข้อมูลได้ 4,266 Mb/s
Samsung ระบุว่าจะใช้ 16 Gb LPDDR4X รวมกันสี่ตัวเพื่อให้ได้ความจุ 8GB (16Gb = 2GB) หน่วยความจำจะทำงานแบบ Four-Channel ทำให้ได้ความเร็วในการส่งข้อมูลรวมที่ 34.1 GB ต่อวินาที และบางลงกว่าเดิมราวๆ 20% เมื่อเทียบกับหน่วยความจำรุ่นแรก ทำให้สามารถออกแบบมือถือที่บางกว่าเดิมได้ แม้ว่าจะประกาศเริ่มเดินหน้าผลิตอย่างเป็นทางการ แต่กว่าเราจะได้เห็นชิปดังกล่าวถูกใช้งานในมือถืออาจจะต้องรอจนถึงต้นปี 2019 คาดว่าเราน่าจะได้เห็น Samsung Galaxy S10 ใช้หน่วยความจำประเภทนี้
ที่มา – Phone Arena, TechPowerup
