Samsung ประกาศในงาน Qualcomm 4G/5G Summit ที่ฮ่องกงว่าปีหน้าจะเริ่มผลิต UFS 3.0 และในปีถัดไปจะเริ่มผลิตหน่วยความจำ LPDDR5
amsung eUFS Chip ความจุสูงถึง 512GB นอกจากความจุที่สูงมากๆแล้วยังการันตีเรื่องความเร็วด้วย โดยชิพนี้จะผลิตให้มือถือในอนาคต
Samsung ประกาศว่ากำลังพัฒนาหน่วยความจำประเภท Embedded Universal Flash Storage (eUFS) โดยหน่วยความจำดังกล่าวเป็นประเภทฝังตัว และออกแบบมาเพื่อใช้งานกับรถยนต์อัจฉริยะโดยเฉพาะ
เราใช้คุกกี้เพื่อพัฒนาประสิทธิภาพ และประสบการณ์ที่ดีในการใช้เว็บไซต์ของคุณและสามารถจัดการความเป็นส่วนตัวเองได้ของคุณได้เองโดยคลิกที่ ตั้งค่า