หลังจาก Qualcomm เปิดตัว Snapdragon 835 ไปไม่นาน ฝั่งจีนก็ได้เปิดข้อมูลหลุดออกมา โดยมีข้อมูลของ Snapdragon 835 และชิปที่ยังไม่เปิดตัวอย่าง Snapdragon 660 ด้วยกัน
ข้อมูลที่หลุดออกมานี้ชี้ให้เห็นว่า Snapdragon 835 นั้นจะข้อมูลน่าสนใจดังนี้
- สถาปัตยกรรม Kryo 200 ของ Qualcomm
- หน่วยประมวลผลข้างใน 8 คอร์ (4 แรง + 4 เบา)
- ตัวประมวลผลกราฟฟิกเป็น Adreno 540
- โมเดม X16 LTE สามารถทำความเร็วดาวน์โหลดสูงสุด 4G LTE ได้ 1 Gbps
- รองรับหน่วยความจำประเภท LPDDR4X-1866 ได้สูงสุดสีตัว
- พื้นที่เก็บข้อมูลประเภท UFS 2.1
ขณะที่รุ่นจับตลาดระดับกลางอย่าง Snapdragon 660 เองก็มีข้อมูลน่าสนใจดังนี้
- ใช้เทคโนโลยีการผลิต 14 นาโนเมตร
- หน่วยประมวลผล 8 คอร์ (2.2 GHz และ 1.9 GHz อย่างละ 4 คอร์)
- หน่วยประมวลผลกราฟฟิก Adreno 512
- โมเดม X10 LTE
- รองรับหน่วยความจำ LPDDR4X-1866 ได้สูงสุดสองตัว
- พื้นที่เก็บข้อมูลประเภท UFS 2.1
ดูเหมือนว่า Snapdragon 660 จะเป็นสายต่อยอดจากชิประดับกลางแต่สเปคแรงแบบ Snapdragon 652
ตามกำหนดการ ตัวชิประดับบนอย่าง Snapdragon 835 จะใช้กระบวนการผลิต 10 นาโนเมตรของ Samsung ซึ่งถือเป็นการผลิตที่เล็กที่สุดที่มีในปัจจุบัน และเปิดผลิตแล้ว (10 นาโนเมตรของ Intel และ TSMC ยังอยู่ในช่วงทดสอบ) และมีกำหนดเปิดตัวมือถือที่ใช้ชิปดังกล่าวในครึ่งแรกของปีหน้า คงเดาได้ไม่ยากว่าไม่น่าจะนานเกินรอ เนื่องจาก Samsung Galaxy S8 น่าจะขายราวๆ เมษายน และใช้ชิป Snapdragon 835 ในบางประเทศ ทำให้ตัวชิปน่าจะผลิตพร้อมใช้งานจริงราวๆ กุมภาพันธ์-มีนาคมปีหน้า
ที่มา – Android Authority
